重结晶原料具有一定强度的高纯SiC制品

  重结晶原料重结晶碳化硅的制备：RSiC是以Acheson法合成的SiC粉体为原料，将粗细SiC粉体原料成型后在高温下利用SiC细粉的蒸发并凝聚在粗颗粒形成的颈部使其具有一定强度的高纯SiC制品，其在烧结过程中没有任何收缩，因此具有较高的孔隙率。
  重结晶碳化硅的研究进展
  RSiC作为SiC陶瓷制品的一种，是在上世纪50年代开始成功制备的，主要为了利用其独特的高温力学性能，用于耐高温器具，直到70年代开始大规模应用。在这一段时期主要就其烧结机制、提高其性能和实现产业化进行了研究。因注浆法可以获得更高的致密度以致得到更高的力学性能和使用寿命，最初主要采用的压制法逐渐被日益成熟的注浆成型法取代，并随着注浆技术的进步，如压力注浆、离心注浆方式及新的模具材料的出现，使注浆法在RSiC法成型中占据更为重要的作用。RSiC也随着新的需求而从原来的高温具发展到在结构和功能众多领域的应用。
  SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD)和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。
  SiC 肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件，它的工作过程中没有电荷储存，因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成，其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是，和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少，因此提高电路的开关频率。另外，它几乎没有正向恢复电压，因而能够立即导通，不存在双极型器件的开通延时现象。在常温下，其正态导通压降和Si超快恢复器件基本相同，但是由于SiC 肖特基二极管的导通电阻具有正温度系数，这将有利于将多个SiC肖特基二极管并联。在二极管单芯片面积和电流受限的情况下，这可以大幅度提高SiC肖特基二极管的容量，使它在较大容量中的应用成为可能。