与单晶硅和砷化镓等传统半导体材料相比碳化硅有明显优势

碳化硅有着非常广阔的应用领域，其在磨料、化工、冶金、高级耐火材料、高级陶瓷等领域都有着很广的用途。在不同的领域对碳化硅的粒度要求是有所不同的，这就需要进行破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选等一系列加工将其制成各种粒度的产品，才能满足各领域的需求情况。

制砂机适用于软或中硬和极硬物料的破碎、整形，广泛应用于各种矿石、水泥、耐火材料、铝凡土熟料、金刚砂、玻璃原料、机制建筑砂、石料以及各种冶金矿渣，特别对碳化硅、棕刚玉、烧结铝矾土、美砂等高硬、特硬及耐磨蚀性物料比其它类型的破碎机产量功效更高。

碳化硅厂家随着碳化硅越来越广的用途，其成为太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。随着传统矿物质能源日益枯竭，以太阳能电池为代表的光伏产业得到迅速发展。碳化硅是光伏产业链上游环节——晶硅片生产过程中的专用材料，受光伏行业发展的带动，碳化硅行业通过产品结构升级和下游需求的扩展带来了一些机会。 随着制砂机设备技术的不断革新，碳化硅本身就有着较为广泛的用途，这就更加强碳化硅新用途、新应用市场的开发。但碳化硅的应用和制砂机的发展又是相互促进的，碳化硅越来越广的用途就会要求其生产设备制砂机的技术性能不断提升，来实现自己的应用价值。所以，碳化硅越来越广的用途促进了制砂机的发展。

以碳化硅为代表的第三代半导体，与单晶硅和砷化镓等传统半导体材料相比，具有明显的优势，如高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能、高化学稳定性、抗辐射性强等，决定了碳化硅在诸多领域有着不可替代的地位。主要如下：

（1）SiC具有高热导率（达到4.9W/cm•K），是Si的3.3倍。因此，SiC材料散热效果好，理论上，SiC功率器件可在 175℃结温下工作，因此散热器的体积可以显著减小，适合用来制作高温器件。

（2）SiC具有高的击穿场强，其击穿电场是Si的10倍，因而适用于高压开关，最大功率处理能力强，使得SiC材料适于制作大功率、大电流器件。

（3）SiC具有高的饱和电子漂移速率，其数值是Si的2倍，在高场下几乎不发生衰减，其高场处理能力强，因此，SiC材料适用于高频器件。

众所周知，高功率密度、高压、大电流IGBT功率模块是逆变器里最核心的部件，它的功率密度越高，电力驱动系统的设计则越紧凑，在相同体积下就能发挥更大功率。由于SiC器件电流密度高(如 Infineon 产品可达 700 A/cm2)，在相同功率等级下，全 SiC功率模块的封装尺寸显著小于Si IGBT功率模块，大大减小了功率模块的体积。

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